我們知道所有并聯(lián)最終我們有個(gè)重要目的，就是流過(guò)并聯(lián)支路的電流盡量都是相等的，特別是在負溫度系數的功率器件中更為關(guān)鍵，比如二極管和晶閘管應用中。

對于整流二極管并聯(lián)，為了使電流均勻分布，對于并聯(lián)的二極管盡可能保證對稱(chēng)性，包括連接點(diǎn)，線(xiàn)組長(cháng)度、，從而保證回路阻抗盡可能相近。

在晶閘管并聯(lián)中，從它被激發(fā)到整個(gè)導通過(guò)程中，電流的均勻分布是必要的。總體上，我們需要注意以下幾點(diǎn)：

1、主電路阻抗的對稱(chēng)性。這個(gè)就要求母排或功率銅排結構對稱(chēng)，大小厚度一直，回路長(cháng)度一直。這個(gè)比較容易理解，就是開(kāi)通后要保證不因為外部電路導致電流不均。為了減少電流上升速度，可以考慮扼流圈。

2、熱對稱(chēng)。盡量保證放到同一個(gè)散熱器上，且放到散熱器的位置能有相同的散熱器溫度，保證Rs-a相同。

3、器件層面。盡量選同批次的晶閘管。從而保證相同的導通壓降，“手指電壓"一致。

4、驅動(dòng)參數。強觸發(fā)門(mén)級電流，一個(gè)是加大晶閘管器件的di/dt能力，另外一個(gè)是縮短兩器件開(kāi)通的時(shí)間。

，參考：功率半導體應用手冊，semikron.