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IGBT模塊FZ1000R33HL3
點(diǎn)擊次數:929 更新時(shí)間:2023-11-17

IGBT模塊FZ1000R33HL3

IGBT模塊FZ1000R33HE3

IGBT模塊FZ1200R33HE3

IGBT模塊FZ1500R33HE3

IGBT模塊FZ1500R33HL3

IGBT模塊FZ1600R33HE4

IGBT模塊FZ1400R33HE4

IGBT模塊FZ2400R33HE4

IGBT模塊FF450R33T3E3

IGBT模塊FZ825R33HE4D


品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

英飛凌工業(yè)半導體 2023-11-10 08:01 

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

圖片


1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了 M1H芯片技術(shù),模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動(dòng)電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料(TIM)版本。


相關(guān)產(chǎn)品:

  • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半橋模塊

圖片


產(chǎn)品特點(diǎn)

集成體二極管,優(yōu)化了熱阻

最高的防潮性能

柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線(xiàn)能力強

符合RoHS標準要求


應用價(jià)值

按照應用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過(guò)沖

導通損耗最小

高速開(kāi)關(guān),損耗極低

對稱(chēng)模塊設計實(shí)現對稱(chēng)的上下橋臂開(kāi)關(guān)行為

標準模塊封裝技術(shù)確保可靠性

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)


競爭優(yōu)勢

通過(guò)碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品,以滿(mǎn)足快速開(kāi)關(guān)要求和低損耗的應用。

電流密度最高,防潮性能強


應用領(lǐng)域


儲能系統

電動(dòng)汽車(chē)充電

光伏逆變器

UPS



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