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富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50
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富士IGBT模塊2MBI450VN-120-50
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富士IGBT模塊6MBI450V-170-50
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富士IGBT模塊6MBI300V-120-50
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富士IGBT模塊6MBI225V-120-50
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富士IGBT模塊7MBR100SB060
富士IGBT模塊7MBR100SB060，北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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富士IGBT功率模塊7MBR50SB060
富士IGBT功率模塊7MBR50SB060，北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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富士IGBT功率模塊7BMR20SC060
富士IGBT功率模塊7BMR20SC060，北京京誠宏泰科技有限公司銷(xiāo)售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
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富士IGBT集成模塊7MBR25SA120
富士IGBT集成模塊7MBR25SA120；富士變頻器IGBT模塊；北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售7MBR25SA120；富士7單元IGBT模塊7MBR25SA120
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FUJI富士IGBT模塊7MBR50SB120
FUJI富士IGBT模塊7MBR50SB120；富士變頻器IGBT模塊；北京京誠宏泰科技有限公司專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售7MBR50SB120；富士6單元IGBT模塊7MBR50SB120
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FUJI富士IGBT模塊7MBR50SD120
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FUJI富士IGBT模塊7MBR50HU120
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FUJI富士IGBT模塊7MBR100UB120-50
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FUJI富士IGBT模塊7MBR75VN120-50
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FUJI富士IGBT模塊7MBR100VN120-50
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FUJI富士IGBT模塊7MBR150VN120-50
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FUJI富士IGBT模塊6MBI75UB-120
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FUJI富士IGBT模塊6MBI75UA-120
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FUJI富士IGBT模塊6MBI35S-120
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FUJI富士IGBT模塊6MBI50UA-120
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